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英諾賽科是2015年12月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起創(chuàng)辦,,從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn),,一期項(xiàng)目位于珠海市國家級(jí)高新區(qū),已完成投資10.9億元,,建設(shè)8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線,。公司商業(yè)模式將采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,打造集研發(fā),、設(shè)計(jì),、外延生長、芯片制造,、測試于一體的生產(chǎn)平臺(tái),,主要產(chǎn)品包括100V-650V 8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件,、氮化鎵集成電路,。
硅氮化鎵技術(shù)能夠提高功率密度和能效,同時(shí)縮小器件尺寸,,因此,,非常適合用于電視機(jī)電源和D類音頻放大器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS,。IHS發(fā)布的市場研究報(bào)告稱,,面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場,將以高達(dá)50%以上的年均復(fù)合增長率(CAGR)成長,。到2023年,,其市場容量將從2014年的1,500萬美元,增至8億美元,。
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